RFP12N10L

￥ 1

RFP12N10L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP12N10L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 100 V, 200 mohm, 5 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RFP12N10L 数据手册 (6 页)

RFP12N10L 数据手册 (6 页)

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RFP12N10L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-220-3

额定功率

60 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

200 mΩ

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±10.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

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RFP12N10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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RFP12N10L 符合标准

RFP12N10L 海关信息

RFP12N10L 数据手册

RFP12N10L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.59 MByte

RFP12N10L 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

20 页 / 2.6 MByte

RFP12N10L 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.06 MByte

RFP12N10L 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.2 MByte

RFP12N10L 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.19 MByte

RFP12N10L 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

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12A ， 100V ， 0.200欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET

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