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RFP12N10L 数据手册 - Intersil（英特矽尔）

制造商:

Intersil（英特矽尔）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

12A ， 100V ， 0.200欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RFP12N10L 数据手册 (6 页)

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RFP12N10L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

200 mΩ

极性

N-Channel

功耗

60.0 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±10.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

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RFP12N10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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RFP12N10L 符合标准

RFP12N10L 数据手册

Intersil（英特矽尔）

6 页 / 0.59 MByte

RFP12N10L 其他数据使用手册

Intersil（英特矽尔）

8 页 / 0.52 MByte

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