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RFP12P08
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RFP12P08 数据手册 (5 页)
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RFP12P08 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220
功耗
75 W
上升时间
90 ns
下降时间
94 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

RFP12P08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

RFP12P08 数据手册

Intersil(英特矽尔)
5 页 / 0.15 MByte

RFP12 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP12N10L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 100 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Intersil(英特矽尔)
12A , 100V , 0.200欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
17A , 60V , 0.071 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
12A , 80V和100V , 0.300欧姆,P沟道功率MOSFET 12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
12A , 60V , 0.135 Ohm的N通道,逻辑电平功率MOSFET 12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs
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