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RFP30P05
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RFP30P05 数据手册 (8 页)
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RFP30P05 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-30.0 A
封装
SOT-23-3
漏源极电压(Vds)
50.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A

RFP30P05 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

RFP30P05 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.37 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.36 MByte

RFP30 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
30A , 60V , ESD额定, 0.047欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
12A , 60V , 0.150 Ohm的N通道功率MOSFET 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
30A , 60V , ESD额定, 0.047欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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