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RFP40N10
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RFP40N10 数据手册 (6 页)
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RFP40N10 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
40.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
16 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
±100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
40.0 A
上升时间
30 ns
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)

RFP40N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

RFP40N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.37 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.36 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

RFP40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
40A , 100V , 0.040 Ohm的N通道功率MOSFET 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
40A , 100V , 0.040欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 100V 40A
Anaren(安伦)
Anaren(安伦)
信号调节 800-1000MHz 400 Watt IL .3dB Iso 20dB
Anaren(安伦)
Anaren(安伦)
Anaren(安伦)
Anaren(安伦)
Anaren(安伦)
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