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RHK003N06
0.082
RHK003N06 数据手册 (3 页)
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RHK003N06 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-252
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.3A

RHK003N06 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.04 MByte

RHK003 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N沟道 60V 300mA
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RHK003N06FRAT146  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 300 mA, 60 V, 0.7 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RHK003N06 N沟道MOSFET 60v 11A TO-252/D-PAK marking/标记 RKS 低噪声
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