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RHK003N06T146 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

N沟道 60V 300mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RHK003N06T146 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

典型应用电路图在4 页

RHK003N06T146 数据手册 (5 页)

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RHK003N06T146 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

300 mA

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

1.10 Ω

极性

N-Channel

功耗

200mW (Ta)

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

300 mA

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

33pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

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RHK003N06T146 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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RHK003N06T146 符合标准

RHK003N06T146 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 1.03 MByte

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.89 MByte

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1 页 / 0.14 MByte

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ROHM RHK003N06FRAT146 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 300 mA, 60 V, 0.7 ohm, 10 V, 2.5 V

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