RHK005N03T146

￥ 0.127

RHK005N03T146 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ROHM RHK005N03T146 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 350 mohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RHK005N03T146 数据手册 (3 页)

封装尺寸在1 页

RHK005N03T146 数据手册 (3 页)

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RHK005N03T146 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

500 mA

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

350 mΩ

极性

N-Channel

功耗

200 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

500 mA

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

45pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

查看数据手册 >

RHK005N03T146 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RHK005N03T146 符合标准

RHK005N03T146 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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RHK005N03 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RHK005N03 N沟道MOSFET 30V 500mA/0.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 KU 高输出功率

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ROHM RHK005N03T146 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 350 mohm, 10 V, 1 V

RHK005N03FRAT146 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RHK005N03FRAT146 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.35 ohm, 10 V, 2.5 V 新

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