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RHP020N06FRAT100
4.145
RHP020N06FRAT100 数据手册
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RHP020N06FRAT100 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-89
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
功耗
500 mW
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
10 ns
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃

RHP020N06FRAT100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃

RHP020N06 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RHP020N06 N沟道MOSFET 60v 2A SOT-89 marking/标记 LR 高输出功率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
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