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RHU002N06FRAT106
0.027
RHU002N06FRAT106 数据手册 (4 页)
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RHU002N06FRAT106 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.7 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 mW
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
5 ns
下降时间
95 ns
工作温度(Max)
150 ℃

RHU002N06FRAT106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃

RHU002N06FRAT106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 1.01 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 1.15 MByte

RHU002N06 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RHU002N06 N沟道MOSFET 60v 2A SOT-89 marking/标记 KP RF放大器/CATV调谐器/低噪声/高功率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - UMT-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RHU002N06FRAT106  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.5 V
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