￥ 5.77

RJH60F6DPQ-A0#T0 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

RENESAS RJH60F6DPQ-A0#T0 单晶体管, IGBT, 85 A, 1.35 V, 297.6 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RJH60F6DPQ-A0#T0 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RJH60F6DPQ-A0#T0 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

功耗

297.6 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

90 ns

额定功率(Max)

297.6 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

297600 mW

查看数据手册 >

RJH60F6DPQ-A0#T0 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RJH60F6DPQ-A0#T0 符合标准

RJH60F6DPQ-A0#T0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

2 页 / 0.07 MByte

RJH60F6DPQA0 数据手册

RJH60F6DPQ-A0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

硅N沟道IGBT高速电源开关 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RJH60F6DPQ-A0#T0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

RENESAS RJH60F6DPQ-A0#T0 单晶体管, IGBT, 85 A, 1.35 V, 297.6 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

RJH60F6DPQ-A0-T0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

硅N沟道IGBT高速电源开关 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号