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RJU002N06FRAT106
0.068
RJU002N06FRAT106 数据手册 (7 页)
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RJU002N06FRAT106 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.6 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 mW
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.2A
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
18pF @10V(Vds)
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

RJU002N06FRAT106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

RJU002N06FRAT106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.38 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
8 页 / 1.22 MByte

RJU002N06 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RJU002N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 ML 电源供应器/转换器/桥电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N-沟道 200 mW 60 V 3.1 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RJU002N06FRAT106  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
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