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RJU003N03FRAT106
0.164
RJU003N03FRAT106 数据手册 (7 页)
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RJU003N03FRAT106 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
UMT
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.8 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 mW
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃

RJU003N03FRAT106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

RJU003N03FRAT106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.13 MByte

RJU003N03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RJU003N03 N沟道MOSFET 30V 300mA/0.3A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 LP 电源供应器/转换器/桥电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RJU003N03T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RJU003N03FRAT106  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 300 mA, 30 V, 0.8 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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