器件3D模型

￥ 7.956

RMLV0408EGSB-4S2#AA0 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

RAM芯片

封装:

TSOP-32

描述:

低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源存取时间：45ns（最大值）相等存取和循环时间常见数据输入和输出，带三态输出所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器）

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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RMLV0408EGSB-4S2#AA0 数据手册 (12 页)

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RMLV0408EGSB-4S2#AA0 数据手册 (12 页)

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RMLV0408EGSB-4S2#AA0 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

32 Pin

封装

TSOP-32

时钟频率

1 MHz

位数

8 Bit

存取时间

45 ns

存取时间(Max)

45 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

2.7V ~ 3.6V

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RMLV0408EGSB-4S2#AA0 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tray

长度

11.9 mm

宽度

8.1 mm

高度

1 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃ (TA)

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RMLV0408EGSB-4S2#AA0 符合标准

RMLV0408EGSB-4S2#AA0 海关信息

RMLV0408EGSB-4S2#AA0 概述

RMLV0408EGSB-4S2#AA0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

12 页 / 0.33 MByte

RMLV0408EGSB-4S2#AA0 其他数据使用手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

3 页 / 0.52 MByte

RMLV0408EGSB4S2 数据手册

RMLV0408EGSB-4S2 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

4MB先进LPSRAM 4Mb Advanced LPSRAM

RMLV0408EGSB-4S2#AA0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, 2.7V 至 3.6V, TSOP-II, 32 引脚, 45 ns

RMLV0408EGSB-4S2#HA1 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C

RMLV0408EGSB-4S2#HA0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

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