器件3D模型

￥ 2.976

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

RAM芯片

封装:

TSOP-32

描述:

SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, 2.7V 至 3.6V, TSOP-II, 32 引脚, 45 ns

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 数据手册 (12 页)

引脚图在2 页Hot

原理图在3 页

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

32 Pin

封装

TSOP-32

针脚数

32 Position

位数

8 Bit

存取时间

45 ns

存取时间(Max)

45 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

2.7V ~ 3.6V

查看数据手册 >

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 85℃

查看数据手册 >

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 符合标准

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 海关信息

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

12 页 / 0.44 MByte

RMLV0408EGSB4S2 数据手册

RMLV0408EGSB-4S2 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

4MB先进LPSRAM 4Mb Advanced LPSRAM

RMLV0408EGSB-4S2#AA0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源存取时间：45ns（最大值）相等存取和循环时间常见数据输入和输出，带三态输出所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器）

RMLV0408EGSB-4S2#AA1 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, 2.7V 至 3.6V, TSOP-II, 32 引脚, 45 ns

RMLV0408EGSB-4S2#HA1 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C

RMLV0408EGSB-4S2#HA0 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号