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RN1102CT
0.024
RN1102CT 数据手册 (8 页)
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RN1102CT 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-883
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
集电极最大允许电流
50mA

RN1102CT 数据手册

Toshiba(东芝)
8 页 / 0.16 MByte

RN1102 数据手册

Toshiba(东芝)
RN1102 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-523/ESM marking/标记 XB 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
Toshiba(东芝)
数字晶体管 RN1102MFV,L3F SOT-723
Toshiba(东芝)
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
Toshiba(东芝)
RN1102F 带阻尼NPN三极管 50V 0.1A R1=R2=10KΩ HEF=50 250MHZ SOT523 代码 XB
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
RN1102MFV 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益50 SOT-723/VESM marking/标记 XB 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
Toshiba(东芝)
RN1102CT 20V 50MA R1=R2=10KΩ HEF=60 SOT883 代码 L1 带阻尼三极管
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
RN1102FS 带阻NPN三极管 20V 50mA 10k 10k 增益60 FSM marking/标记 L1 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
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