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RN55D1210F
0.318
RN55D1210F 数据手册 (2 页)
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RN55D1210F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
200 V
封装
Axial Leaded
额定功率
125 mW
电阻
121 Ω
阻值偏差
±1 %
额定电压
200 V

RN55D1210F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
温度系数
±100 ppm/℃

RN55D1210F 数据手册

International Resistive
2 页 / 0.09 MByte
International Resistive
2 页 / 0.22 MByte

RN55D1210 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
VISHAY(威世)
金属膜电阻, 121 Ω, 125MW, 1%
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  RN55D1210FB14  金属膜电阻, 121Ω, 125mW, 1%
International Resistive
INTERNATIONAL RESISTIVE  RN55D1210F  金属釉面电阻, 121Ω, 125MW, 1%, 整卷
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
TT Electronics/IRC
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
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