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RN55D5112FB14
0.834
RN55D5112FB14 数据手册 (5 页)
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RN55D5112FB14 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
200 V
容差
±1 %
封装
Axial
额定功率
0.125 W
电阻
51.1 kΩ
阻值偏差
±1 %
额定电压
200 VDC

RN55D5112FB14 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
7.37 mm
宽度
2.29 mm
脚长度
1.50in ±0.125in
工作温度
-65℃ ~ 165℃
温度系数
±100 ppm/℃

RN55D5112FB14 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
5 页 / 0.14 MByte
Vishay Dale(威世达勒)
5 页 / 0.14 MByte

RN55D5112 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
金属膜电阻, 51.1KΩ, 125MW, 1%
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  RN55D5112FB14  金属膜电阻, 51.1KΩ, 125mW, 1%
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
TT Electronics/IRC
Vishay Dale(威世达勒)
TT Electronics Resistors
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