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RQ6C050UNTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RQ6C050UNTR 数据手册 (5 页)

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RQ6C050UNTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.022 Ω

功耗

1.25 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

900pF @10V(Vds)

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.25W (Ta)

RQ6C050UNTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

RQ6C050UNTR 符合标准

RQ6C050UNTR 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V

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