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RQ6E050ATTCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

ROHM RQ6E050ATTCR 晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RQ6E050ATTCR 数据手册 (15 页)

RQ6E050ATTCR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.021 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

940pF @15V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.25W (Ta)

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RQ6E050ATTCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

3 mm

宽度

1.8 mm

高度

0.95 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RQ6E050ATTCR 符合标准

RQ6E050ATTCR 概述

RQ6E050ATTCR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 2.81 MByte

RQ6E050ATTCR 其他数据使用手册

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15 页 / 2.36 MByte

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