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RRQ030P03FRATR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

TSMT

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.055 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RRQ030P03FRATR 数据手册 (13 页)

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RRQ030P03FRATR 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TSMT

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.055 Ω

极性

P-CH

功耗

1.25 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

150 ℃

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RRQ030P03FRATR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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RRQ030P03FRATR 符合标准

RRQ030P03FRATR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 0.73 MByte

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