RRQ045P03 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 53mΩ@ VGS = -4V, ID = -2.2A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1~-2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| 4V Drive Pch MOSFET Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. 3) High speed switching. Application Switching 描述与应用| 4V驱动P沟道MOSFET 特点 1）低导通电阻。 2）高功率封装。 3）高速开关。 应用 开关