器件3D模型

￥ 0.406

RS1E280BNTB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

HSOP-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RS1E280BNTB 数据手册 (13 页)

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RS1E280BNTB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

HSOP-8

极性

N-CH

功耗

30 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

28A

上升时间

100 ns

输入电容值(Ciss)

5100pF @15V(Vds)

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta), 30W (Tc)

RS1E280BNTB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

RS1E280BNTB 符合标准

RS1E280BNTB 数据手册

RS1E280BNTB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.37 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.5 V

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