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RSD221N06TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RSD221N06TL 数据手册 (15 页)

典型应用电路图在14 页

RSD221N06TL 数据手册 (15 页)

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RSD221N06TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-Channel

功耗

0.85 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

22A

上升时间

45 ns

输入电容值(Ciss)

1500pF @10V(Vds)

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

850mW (Ta), 20W (Tc)

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RSD221N06TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RSD221N06TL 符合标准

RSD221N06TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 0.51 MByte

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