器件3D模型

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RSH070P05GZETB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -45 V, 0.019 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSH070P05GZETB 数据手册 (15 页)

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RSH070P05GZETB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

19 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

45 V

漏源击穿电压

45 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

4100pF @10V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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RSH070P05GZETB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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RSH070P05GZETB 符合标准

RSH070P05GZETB 概述

RSH070P05GZETB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 2.56 MByte

RSH070P05GZETB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 1.48 MByte

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