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RSJ250P10TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSJ250P10TL 数据手册 (7 页)

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RSJ250P10TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

45 mΩ

极性

P-Channel

功耗

50 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

25A

上升时间

67 ns

输入电容值(Ciss)

8000pF @25V(Vds)

下降时间

180 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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RSJ250P10TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10.1 mm

宽度

9 mm

高度

4.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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RSJ250P10TL 符合标准

RSJ250P10TL 海关信息

RSJ250P10TL 概述

RSJ250P10TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 1.38 MByte

RSJ250P10TL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 0.54 MByte

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晶体管, MOSFET, P沟道, -25 A, -100 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.5 V

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