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RSQ015P10TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSQ015P10TR 数据手册 (12 页)

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RSQ015P10TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

1.5A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

950pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600mW (Ta)

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RSQ015P10TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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RSQ015P10TR 符合标准

RSQ015P10TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 1.67 MByte

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