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RSQ025P03FRATR
0.168
RSQ025P03FRATR 数据手册 (7 页)
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RSQ025P03FRATR 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
TSMT
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.25 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃

RSQ025P03FRATR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

RSQ025P03FRATR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.08 MByte

RSQ025P03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RSQ025P03 P沟道MOS场效应管 -30V -2.5A 200毫欧 SOT-163 marking/标记 TP 低导通电阻 高速开关 4V电压驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSQ025P03FRATR  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.08 ohm, -10 V, -2.5 V 新
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