￥ 0

RSQ025P03 TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-457

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RSQ025P03 TR 数据手册

暂未收录 RSQ025P03 TR 的数据手册

登录以发送补充文档请求

RSQ025P03 TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-2.50 A

封装

SOT-457

漏源极电阻

145 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

11.0 ns

RSQ025P03 TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

RSQ025P03 TR 符合标准

RSQ025P03 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RSQ025P03 P沟道MOS场效应管 -30V -2.5A 200毫欧 SOT-163 marking/标记 TP 低导通电阻高速开关 4V电压驱动

RSQ025P03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RSQ025P03FRATR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RSQ025P03FRATR 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.08 ohm, -10 V, -2.5 V 新

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号