￥ 0.11

RSQ035P03TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

P 沟道 1.25 W -30 V 95 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - TSMT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RSQ035P03TR 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RSQ035P03TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-3.50 A

封装

TSOT-23-6

漏源极电阻

700 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

780pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.25W (Ta)

RSQ035P03TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

0.85 mm

工作温度

150℃ (TJ)

RSQ035P03TR 符合标准

RSQ035P03TR 海关信息

RSQ035P03TR 数据手册

RSQ035P03TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.08 MByte

RSQ035P03TR 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

RSQ035P03 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RSQ035P03 P沟道MOS场效应管 -30V -3.5A 95毫欧 SOT-163 marking/标记 TM 低导通电阻高速开关低电压驱动

RSQ035P03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

P 沟道 1.25 W -30 V 95 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - TSMT-3

RSQ035P03FRATR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RSQ035P03FRATR 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.5 V 新

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号