RSQ045N03 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 4.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 56mΩ@ VGS =4V, ID =4.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1~2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.25W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package . 3) Low voltage drive Applications Switching 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 特点 1）低导通电阻。 2）节省空间，小的表面贴装封装。 3）低电压驱动 应用 开关