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RSQ045N03TR
0.051
RSQ045N03TR 数据手册 (12 页)
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RSQ045N03TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
4.50 A
封装
TSOT-23-6
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
19 ns
输入电容值(Ciss)
520pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
600mW (Ta)

RSQ045N03TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.8 mm
高度
0.95 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RSQ045N03TR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 1.45 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 0.62 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

RSQ045N03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RSQ045N03 N沟道MOSFET 30V 4.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QL
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSQ045N03FRATR  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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