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RSR010N10
0

RSR010N10 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-346
漏源极电阻
0.41 Ω
极性
N
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
1A

RSR010N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

RSR010N10 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.77 MByte

RSR010 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
MOS场效应管 RSR010N10TL ZJ SOT-346(SC-59)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSR010N10FHATL  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 1 A, 100 V, 0.37 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
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