器件3D模型

￥ 0.578

RSS090N03FU6TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在1 页

RSS090N03FU6TB 数据手册 (4 页)

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RSS090N03FU6TB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.011 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

810pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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RSS090N03FU6TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

4.4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RSS090N03FU6TB 符合标准

RSS090N03FU6TB 概述

RSS090N03FU6TB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.05 MByte

RSS090N03FU6TB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.19 MByte

RSS090N03FU6TB 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.16 MByte

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