RT3N77M-T111-1 数据手册 - Mitsubishi（三菱）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 100 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features • Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type • Silicon epitaxial type • Each transistor elements are independent. • Mini package for easy mounting Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用| 特点 •复合开关应用硅外延型晶体管，电阻 •硅外延型 •每个晶体管的元素是独立的。 •易于安装的小型封装 应用 •开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用