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RTL020P02FRATR
0.138
RTL020P02FRATR 数据手册 (7 页)
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RTL020P02FRATR 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
TUMT-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
极性
P-Channel
功耗
1 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
430pF @10V(Vds)
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

RTL020P02FRATR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

RTL020P02FRATR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.08 MByte

RTL020P02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTL020P02 P沟道MOS场效应管 -20V -2A 250毫欧 SOT-363 marking/标记 WU 低导通电阻 高速开关 低电压驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM  RTL020P02FRATR  晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -2 V 新
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