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RTL035N03TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TUMT-6

描述:

ROHM RTL035N03TR 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 79 mohm, 4.5 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RTL035N03TR 数据手册 (3 页)

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RTL035N03TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

3.50 A

封装

TUMT-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

79 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

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RTL035N03TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

1.7 mm

高度

0.77 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RTL035N03TR 符合标准

RTL035N03TR 概述

RTL035N03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.05 MByte

RTL035N03TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.26 MByte

RTL035N03TR 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 1.89 MByte

RTL035N03TR 其他参考文件

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1 页 / 0.14 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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