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Datasheet 搜索 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > RTQ030P02 Datasheet 文档
RTQ030P02
0.101

RTQ030P02 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-163
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
3A

RTQ030P02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.08 MByte
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RTQ030 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DC-DC转换器( -20V , -3.0A ) DC-DC Converter (−20V, −3.0A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTQ030P02 P沟道MOS场效应管 -20V -3A 150毫欧 SOT-163 marking/标记 TS 低导通电阻 高速开关 低电压驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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