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Datasheet 搜索 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > RTQ040P02 Datasheet 文档
RTQ040P02
0.091

RTQ040P02 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-163
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
4A

RTQ040P02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.12 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.06 MByte

RTQ040 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTQ040P02 系列 20 V 4 A 表面贴装 DC-DC 转换器 - TSMT6
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RTQ040P02 P沟道MOS场效应管 -20V -4A 85毫欧 SOT-163 marking/标记 TZ 低导通电阻 高速开关 低电压驱动 DC/DC转换
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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