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RTR025N03FRATL
0.181
RTR025N03FRATL 数据手册 (5 页)
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RTR025N03FRATL 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TSMT
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.066 Ω
极性
N-Channel
功耗
1 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.5A
上升时间
15 ns
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃

RTR025N03FRATL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃

RTR025N03FRATL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 1.03 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 1.03 MByte

RTR025N03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTR025N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 QZ 逻辑电平
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 沟道 1 W 30 V 133 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RTR025N03FRATL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.066 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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