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RTR030P02FHATL
0.381
RTR030P02FHATL 数据手册 (7 页)
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RTR030P02FHATL 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TSMT
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.055 Ω
极性
P-Channel
功耗
1 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
3A
工作温度(Max)
150 ℃

RTR030P02FHATL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

RTR030P02FHATL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.15 MByte

RTR030P02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTR030P02 P沟道MOS场效应管 -20V 3A 0.055ohm SOT-23 marking/标记 TV 低导通电阻 内置栅源保护二极管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RTR030P02TL  晶体管, MOSFET, 低电压, P沟道, 3.2 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -2 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RTR030P02FHATL  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.055 ohm, -4.5 V, -2 V 新
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