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RU1L002SNMGTL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

UMT3F

描述:

场效应管(MOSFET) RU1L002SNMGTL SOT-323-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RU1L002SNMGTL 数据手册

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RU1L002SNMGTL 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

UMT3F

功耗

0.2 W

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

15pF @25V(Vds)

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200 mW

RU1L002SNMGTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

RU1L002SNMGTL 符合标准

RU1L002 数据手册

RU1L002SNTL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

N沟道 60V 250mA

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