RUM002N02G 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±8V 最大漏极电流Id Drain Current | 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 4.8Ω ID=20mA, VGS=1.2V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.3V~1V 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications |

● Silicon N-channel MOSFET 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. 描述与应用 |

●硅N沟道MOSFET 1）快速开关速度。 2）低电压驱动（1.2V），使得该器件用于便携式设备的理想选择。 3）驱动电路可以很简单。