器件3D模型

￥ 1.041

RUS100N02TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

ROHM RUS100N02TB 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 20 V, 0.008 ohm, 4.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RUS100N02TB 数据手册 (12 页)

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RUS100N02TB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.008 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

2250pF @10V(Vds)

下降时间

125 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

RUS100N02TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

RUS100N02TB 符合标准

RUS100N02TB 数据手册

RUS100N02TB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.49 MByte

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ROHM RUS100N02TB 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 20 V, 0.008 ohm, 4.5 V, 1 V

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