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RV1C001ZPT2L 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

VML-0806

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RV1C001ZPT2L 数据手册 (13 页)

RV1C001ZPT2L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

VML-0806

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.5 Ω

极性

P-Channel

功耗

0.1 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.1A

上升时间

62 ns

输入电容值(Ciss)

15pF @10V(Vds)

下降时间

137 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100mW (Ta)

查看数据手册 >

RV1C001ZPT2L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RV1C001ZPT2L 符合标准

RV1C001ZPT2L 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 3.39 MByte

RV1C001ZPT2L 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

11 页 / 0.46 MByte

RV1C001ZPT2 数据手册

RV1C001ZPT2L 数据手册

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晶体管, MOSFET, P沟道, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V

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