Web Analytics
Datasheet 搜索 > 电池管理芯片 > SII(精工) > S-8261ABJMD-G3JT2G Datasheet 文档
S-8261ABJMD-G3JT2G
0.078
S-8261ABJMD-G3JT2G 数据手册 (33 页)
查看文档
或点击图片查看大图

S-8261ABJMD-G3JT2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-23-6
输出电压
4.28 V
功耗
650 mW
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃

S-8261ABJMD-G3JT2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm

S-8261ABJMD-G3JT2G 数据手册

SII(精工)
33 页 / 1.92 MByte
SII(精工)
40 页 / 1.49 MByte

S8261ABJMDG3JT2 数据手册

ABLIC(艾普凌科)
SII(精工)
S-8261ABJMD-G3JT2G
Seiko
S-8261系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子/锂聚合物可充电电池的保护IC
ABLIC(艾普凌科)
Epson Electronics(爱普生)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z