S9015 数据手册 - Toshiba（东芝）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~1000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Complementary To S9014. Lead-free Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS Low frequency , low noise amplifier. 描述与应用| 硅外延平面晶体管 特点 互补S9014。 无铅 优秀HFE线性。 应用 低频率，低噪声放大器。