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Datasheet 搜索 > RF射频器件 > NXP(恩智浦) > SA630D,602 Datasheet 文档
SA630D,602
器件3D模型
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SA630D,602 数据手册 (20 页)
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SA630D,602 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
功耗
780 mW
耗散功率(Max)
780 mW

SA630D,602 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

SA630D,602 数据手册

NXP(恩智浦)
20 页 / 0.52 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 3.38 MByte

SA630 数据手册

Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
NXP  SA630D/01,112  芯片, 射频开关, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
单刀双掷SPDT开关 Single pole double throw SPDT switch
NXP(恩智浦)
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
Sa630 - 单刀双掷(Spdt)开关
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