￥ 15.459

SCT20N120 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

SCT20N120 系列 1200 V 290 mOhm 20 A 碳化硅功率 Mosfet - HiP247™

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SCT20N120 数据手册 (13 页)

封装尺寸在1 页 10 页 11 页

SCT20N120 数据手册 (13 页)

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SCT20N120 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

215 mΩ

功耗

175 W

阈值电压

2 V

输入电容

650 pF

漏源极电压(Vds)

1200 V

漏源击穿电压

1.2 kV

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

650pF @400V(Vds)

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

175W (Tc)

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SCT20N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 200℃ (TJ)

查看数据手册 >

SCT20N120 符合标准

SCT20N120 海关信息

SCT20N120 概述

SCT20N120 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.48 MByte

SCT20N120 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

SCT20N120 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.79 MByte

SCT20N120 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.54 MByte

SCT20N120 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.48 MByte

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