￥ 3.674

SCT2H12NYTB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-268-3

描述:

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SCT2H12NYTB 数据手册 (16 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SCT2H12NYTB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-268-3

针脚数

2 Position

漏源极电阻

1.15 Ω

极性

N-CH

功耗

44 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

1700 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

184pF @800V(Vds)

下降时间

74 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

44W (Tc)

查看数据手册 >

SCT2H12NYTB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

175℃ (TJ)

查看数据手册 >

SCT2H12NYTB 符合标准

SCT2H12NYTB 概述

SCT2H12NYTB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

16 页 / 0.83 MByte

SCT2H12NYTB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.07 MByte

SCT2H12NYTB 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

SCT2H12 数据手册

SCT2H12NZGC11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM SCT2H12NZGC11 功率场效应管, MOSFET, 碳化硅 (SiC), N沟道, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V

SCT2H12NYTB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号